ANHANG RoHS1 (RL 2002/95/EG)
Ausnahme | Anwendungsbereich und Gültigkeitsdaten | |
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1. | Quecksilber in einseitig gesockelten (Kompakt-) Leuchtstofflampen, die folgende Werte (je Brennstelle) nicht übersteigen: | |
1a. | Für allgemeine Beleuchtungszwecke < 30 W: 5 mg | Läuft am 31. Dezember 2011 ab; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen bis zum 31. Dezember 2012 3,5 mg je Brennstelle verwendet werden; nach dem 31. Dezember 2012 dürfen 2,5 mg je Brennstelle verwendet werden. |
1b. | Für allgemeine Beleuchtungszwecke ≥ 30 W und < 50 W: 5 mg | Läuft am 31. Dezember 2011 ab; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 3,5 mg je Brennstelle verwendet werden. |
1c. | Für allgemeine Beleuchtungszwecke ≥ 50 W und < 150 W: 5 mg | |
1d. | Für allgemeine Beleuchtungszwecke ≥ 150 W: 15 mg | |
1e. | Für allgemeine Beleuchtungszwecke mit runder oder quadratischer Bauform und einem Röhrendurchmesser von ≤ 17 mm | Unbegrenzte Verwendung bis 31. Dezember 2011; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 7 mg je Brennstelle verwendet werden. |
1f. | Für besondere Verwendungszwecke: 5 mg | |
2a. | Quecksilber in beidseitig gesockelten linearen Leuchtstofflampen für allgemeine Beleuchtungszwecke, die folgende Werte (je Lampe) nicht übersteigen: | |
2a. I | Tri-Phosphor-Lampen mit normaler Lebensdauer und einem Röhrendurchmesser von < 9 mm (z. B. T2): 5 mg | Läuft am 31. Dezember 2011 ab; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 4 mg je Lampe verwendet werden. |
2a. II | Tri-Phosphor-Lampen mit normaler Lebensdauer und einem Röhrendurchmesser von ≥ 9 mm und ≤ 17 mm (z. B. T5): 5 mg | Läuft am 31. Dezember 2011 ab; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 3 mg je Lampe verwendet werden. |
2a. III | Tri-Phosphor-Lampen mit normaler Lebensdauer und einem Röhrendurchmesser von > 17 mm und ≤ 28 mm (z. B. T8): 5 mg | Läuft am 31. Dezember 2011 ab; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 3,5 mg je Lampe verwendet werden. |
2a. IV | Tri-Phosphor-Lampen mit normaler Lebensdauer und einem Röhrendurchmesser von > 28 mm (z. B. T12): 5 mg | Läuft am 31. Dezember 2012 ab; nach dem 31. Dezember 2012 dürfen 3,5 mg je Lampe verwendet werden. |
2a. V | Tri-Phosphor-Lampen mit langer Lebensdauer (≥ 25000 Std.): 8 mg | Läuft am 31. Dezember 2011 ab; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 5 mg je Lampe verwendet werden. |
2b. | Quecksilber in anderen Leuchtstofflampen, die folgende Werte (je Lampe) nicht übersteigen: | |
2b. I | Lineare Halophosphatlampen mit Röhrendurchmesser von > 28 mm (z. B. T10 und T12): 10 mg | Läuft am 13. April 2012 ab. |
2b. II | Nichtlineare Halophosphatlampen (alle Durchmesser): 15 mg | Läuft am 13. April 2016 ab. |
2b. III | Nichtlineare Tri-Phosphor-Lampen mit einem Röhrendurchmesser von > 17 mm (z. B. T9) | Unbegrenzte Verwendung bis 31. Dezember 2011; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 15 mg je Lampe verwendet werden. |
2b. IV | Lampen für andere allgemeine Beleuchtungszwecke und für besondere Verwendungszwecke (z. B. Induktionslampen) | Unbegrenzte Verwendung bis 31. Dezember 2011; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 15 mg je Lampe verwendet werden. |
3. | Quecksilber in CCFL- (cold cathode fluorescent lamps) und EEFL-Lampen (external electrode fluorescent lamps) für besondere Verwendungszwecke, die folgende Werte (je Lampe) nicht übersteigen: | |
3a. | Kurze Lampen (≤ 500 mm) | Unbegrenzte Verwendung bis 31. Dezember 2011; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 3,5 mg je Lampe verwendet werden. |
3b. | Mittellange Lampen (> 500 mm und ≤ 1500 mm) | Unbegrenzte Verwendung bis 31. Dezember 2011; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 5 mg je Lampe verwendet werden. |
3c. | Lange Lampen (> 1500 mm) | Unbegrenzte Verwendung bis 31. Dezember 2011; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 13 mg je Lampe verwendet werden. |
4a. | Quecksilber in anderen Niederdruckentladungslampen (je Lampe) | Unbegrenzte Verwendung bis 31. Dezember 2011; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 15 mg je Lampe verwendet werden. |
4b. | Quecksilber in Hochdrucknatrium(dampf)lampen für allgemeine Beleuchtungszwecke, die bei Lampen mit verbessertem Farbwiedergabeindex Ra > 60 folgende Werte (je Brennstelle) nicht übersteigen: | |
4b. I | P ≤ 155 W | Unbegrenzte Verwendung bis 31. Dezember 2011; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 30 mg je Brennstelle verwendet werden. |
4b. II | 155 W < P ≤ 405 W | Unbegrenzte Verwendung bis 31. Dezember 2011; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 40 mg je Brennstelle verwendet werden. |
4b. III | P > 405 W | Unbegrenzte Verwendung bis 31. Dezember 2011; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 40 mg je Brennstelle verwendet werden. |
4c. | Quecksilber in anderen Hochdrucknatrium(dampf)lampen für allgemeine Beleuchtungszwecke, die folgende Werte (je Brennstelle) nicht übersteigen: | |
4c. I | P ≤ 155 W | Unbegrenzte Verwendung bis 31. Dezember 2011; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 25 mg je Brennstelle verwendet werden. |
4c. II | 155 W < P ≤ 405 W | Unbegrenzte Verwendung bis 31. Dezember 2011; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 30 mg je Brennstelle verwendet werden. |
4c. III | P > 405 W | Unbegrenzte Verwendung bis 31. Dezember 2011; nach dem 31. Dezember 2011 dürfen 40 mg je Brennstelle verwendet werden. |
4d. | Quecksilber in Hochdruckquecksilber(dampf)lampen (HPMV) | Läuft am 13. April 2015 ab. |
4e. | Quecksilber in Metallhalidlampen (MH) | |
4f. | Quecksilber in anderen Entladungslampen für besondere Verwendungszwecke, die in diesem Anhang nicht gesondert aufgeführt sind | |
5a. | Blei im Glas von Kathodenstrahlröhren | |
5b. | Blei im Glas von Leuchtstoffröhren mit einem Massenanteil von höchstens 0,2 % Blei | |
6a. | Blei als Legierungselement in Stahl für Bearbeitungszwecke und in verzinktem Stahl mit einem Massenanteil von höchstens 0,35 % Blei | |
6b. | Blei als Legierungselement in Aluminium mit einem Massenanteil von höchstens 0,4 % Blei | |
6c. | Kupferlegierung mit einem Massenanteil von bis zu 4 % Blei | |
7a. | Blei in hochschmelzenden Loten (d. h. Lötlegierungen auf Bleibasis mit einem Massenanteil von mindestens 85 % Blei) | |
7b. | Blei in Loten für Server, Speichersysteme und Speicherarrays sowie Netzinfrastrukturausrüstungen für Vermittlung, Signalweiterleitung, Übertragung und Netzmanagement im Telekommunikationsbereich | |
7c. I | Blei enthaltende elektrische und elektronische Bauteile in Glas oder Keramikwerkstoffen außer dielektrischer Keramik in Kondensatoren, z. B. piezoelektronische Geräte, oder in einer Glas- oder Keramikmatrixverbindung | |
7c. II | Blei in dielektrischer Keramik in Kondensatoren für eine Nennspannung von 125 V AC oder 250 V DC oder darüber | |
7c. III | Blei in dielektrischer Keramik in Kondensatoren für eine Nennspannung von weniger als 125 V AC oder 250 V DC | Läuft am 1. Januar 2013 ab. Danach Verwendung zulässig in Ersatzteilen für Elektro- und Elektronikgeräte, die vor dem 1. Januar 2013 in Verkehr gebracht wurden. |
7c. IV | Blei in PZT-basierten dielektrischen Keramikwerkstoffen für Kondensatoren, die Teil integrierter Schaltkreise oder diskreter Halbleiter sind | |
8a. | Cadmium und Cadmiumverbindungen in Thermosicherungen vom Typ „one shot pellet” | Läuft am 1. Januar 2012 ab. Danach Verwendung zulässig in Ersatzteilen für Elektro- und Elektronikgeräte, die vor dem 1. Januar 2012 in Verkehr gebracht wurden. |
8b. | Cadmium und Cadmiumverbindungen in elektrischen Kontakten | |
9. | Sechswertiges Chrom als Korrosionsschutzmittel des Kohlenstoffstahl-Kühlsystems in Absorptionskühlschränken bis zu einem Massenanteil von 0,75 % in der Kühllösung | |
9b. | Blei in Lagerschalen und -buchsen für Kältemittel enthaltende Kompressoren für Heiz-, Belüftungs-, Klima- und Kühlanwendungen (HVACR) | |
11a. | Blei in „C-Press” -Einpresssteckverbindern mit flexibler Zone | Darf in Ersatzteilen für Elektro- und Elektronikgeräte verwendet werden, die vor dem 24. September 2010 in Verkehr gebracht wurden |
11b. | Blei in anderen als „C-Press” -Einpresssteckverbindern mit flexibler Zone | Läuft am 1. Januar 2013 ab. Danach Verwendung zulässig in Ersatzteilen für Elektro- und Elektronikgeräte, die vor dem 1. Januar 2013 in Verkehr gebracht wurden. |
12. | Blei als Beschichtungsmaterial für ein wärmeleitendes C-Ring-Modul. | Darf in Ersatzteilen für Elektro- und Elektronikgeräte verwendet werden, die vor dem 24. September 2010 in Verkehr gebracht wurden |
13a. | Blei in Weißglas für optische Anwendungen | |
13b. | Cadmium und Blei in Filterglas und Glas für Reflexionsstandards | |
14. | Blei in Loten aus mehr als zwei Elementen zur Verbindung zwischen den Anschlussstiften und der Mikroprozessor-Baugruppe mit einem Massenanteil von mehr als 80 % und weniger als 85 % Blei | Läuft am 1. Januar 2011 ab. Danach Verwendung zulässig in Ersatzteilen für Elektro- und Elektronikgeräte, die vor dem 1. Januar 2011 in Verkehr gebracht wurden. |
15. | Blei in Loten zum Herstellen einer stabilen elektrischen Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Schaltungsträger in integrierten Flip-Chip-Baugruppen | |
16. | Blei in stabförmigen Glühlampen mit eingeschmolzener Innenbeschichtung des Kolbens | Läuft am 1. September 2013 ab. |
17. | Bleihalogenide als Strahlungszusatz in Hochdruck-Gasentladungslampen (HID-Lampen) für professionelle Reprografieanwendungen | |
18a. | Blei als Aktivator im Leuchtstoffpulver (davon Massenanteil Blei von 1 % oder weniger) von Gasentladungslampen bei Verwendung als Speziallampen für Reprografie auf Basis des Lichtpausverfahrens, Lithografie, Insektenfallen, fotochemische und Belichtungsprozesse mit Leuchtstoffen wie Magnesiumsilikat ((Sr,Ba)2MgSi2O7:Pb) | Läuft am 1. Januar 2011 ab. |
18b. | Blei als Aktivator im Leuchtstoffpulver (davon Massenanteil Blei von 1 % oder weniger) von Gasentladungslampen bei Verwendung als Bräunungslampen mit Leuchtstoffen wie Bariumsilikat (BaSi2O5:Pb) | |
19. | Blei mit PbBiSn-Hg und PbInSn-Hg in speziellen Verbindungen als Hauptamalgam und mit PbSn-Hg als Zusatzamalgam in superkompakten Energiesparlampen | Läuft am 1. Juni 2011 ab. |
20. | Bleioxid in Glasloten zur Verbindung der vorderen und hinteren Glasscheibe von flachen Leuchtstofflampen für Flüssigkristallanzeigen (LCD) | Läuft am 1. Juni 2011 ab. |
21. | Blei und Cadmium in Druckfarben zum Aufbringen von Emails auf Glas wie Borosilicatglas und Kalk-Natron-Glas | |
23. | Blei in der Beschichtung von Fine-Pitch-Komponenten — anderen als Steckverbindern — mit einem Pitch von 0,65 mm oder weniger | Darf in Ersatzteilen für Elektro- und Elektronikgeräte verwendet werden, die vor dem 24. September 2010 in Verkehr gebracht wurden. |
24. | Blei in Loten für discoidale und Planar-Array-Vielschicht-Keramikkondensatoren mit metallisierten Löchern | |
25. | Bleioxid in Strukturelementen von SED-Displays (surface conduction electron emitter displays (SED), insbesondere in der Glasfritte für die Befestigung (seal frit) und dem Glasfrittering (frit ring) | |
26. | Bleioxid im Glasmantel von BLB-Lampen (Schwarzlichtlampen) | Läuft am 1. Juni 2011 ab. |
27. | Bleilegierungen als Lote für Wandler in leistungsstarken Lautsprechern (für mehrstündigen Betrieb bei einem Schalldruck von 125 dB/SPL und darüber) | Am 24. September 2010 abgelaufen. |
29. | Gebundenes Blei in Kristallglas gemäß Anhang I (Kristallglasarten 1, 2, 3 und 4) der Richtlinie 69/493/EWG des Rates(1) | |
30. | Cadmiumlegierungen als elektrische/mechanische Lötmittel für elektrische Leiter, die direkt auf der Schwingspule in Wandlern in leistungsstarken Lautsprechern mit Schalldruck von 100 dB (A) und darüber verwendet werden | |
31. | Blei in Lötmitteln in quecksilberfreien flachen Leuchtstofflampen (z. B. für Flüssigkristallanzeigen, Design- oder Industriebeleuchtung) | |
32. | Bleioxid in Glasfritten zur Befestigung von Glasscheiben für Argon- und Krypton- Laserröhren | |
33. | Blei in Loten für das Löten von dünnen Kupferdrähten mit höchstens 100 μm Durchmesser in Leistungstransformatoren | |
34. | Blei in Trimmpotentiometern auf Cermet-Basis. | |
36. | Quecksilber als Inhibitor zur Vermeidung von Kathodensputtering bei DC-Plasmadisplays mit einem Gehalt von bis zu 30 mg pro Display | Läuft am 1. Juli 2010 ab. |
37. | Blei in der Beschichtung von Hochspannungsdioden auf der Grundlage eines Zinkborat-Glasgehäuses | |
38. | Cadmium und Cadmiumoxid in Dickschichtpasten, die auf Aluminium-gebundenem Berylliumoxid eingesetzt werden | |
39. | Cadmium in farbkonvertierenden II–VI-basierten LEDs (< 10 μg Cd je mm2 Licht emittierende Fläche) zur Verwendung in Halbleiter-Beleuchtungen oder Display-Systemen | Läuft am 1. Juli 2014 ab. |
40. | Cadmium in Fotowiderständen für analoge Optokoppler in professionellen Audioanlagen | Läuft am 31. Dezember 2013 ab. |
Anmerkung: Für die Zwecke von Artikel 5 Absatz 1 Buchstabe a der Richtlinie 2002/95/EG wird als Konzentrationshöchstwert ein Massenanteil von jeweils 0,1 % Blei, Quecksilber, sechswertigem Chrom, polybromierten Biphenylen (PBB) oder polybromierten Diphenylethern (PBDE) je homogenem Werkstoff und von 0,01 % Cadmium je homogenem Werkstoff toleriert.
Fußnote(n):
- (1)
ABl. L 326 vom 29.12.1969, S. 36.
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